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1A和2A器件的高度為0.65mm，正向壓降低至0.36V。顯著節省空間并提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，新增10顆采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封裝的1A和2A器件，擴充其表面貼裝的TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器節省空間，可替換SOD123W封裝的肖特基整流器，反向電壓從45V到150V，其中業內首顆采用MicroSMP封裝的2A TMBS整流器的正向壓降低至0.40V。
目前，2A電流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封裝。今天發布的這批器件在較小的MicroSMP封裝內也可以輸出高正向電流，從而提高了功率密度。整流器的尺寸為2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同時占板空間少45%。為實現良好的散熱性能，MicroSMP封裝采用了不對稱的引線框架設計。
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