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高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器——Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047μF到10μF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個電壓等級。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰，這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應用包括功率轉換器、頻率轉換器，以及風力機逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機驅動。Vishay還提供結構長度58mm的器件，用于高功率IGBT模塊。
Altera發布JNEye鏈路分析工具，提供驗證和電路板層級全套設計工具。JNEye支援設計人員迅速方便的評估高速Altera現場可編程閘陣列(FPGA...
Vishay 的 HOTcap 系列徑向引線多層陶瓷電容器(MLCC)。該電容器能滿足汽車應用所要求的極端工作條件。K…H 系列的高工作溫度、徑向引線...
半導體從業者應該很多年沒有看過最近兩年那么火爆的景象。無論是做材料、設備、晶圓代工、芯片設計還是分銷，都迎來了好景氣，營收屢創新高，這也...
為了調整P1,P2和P3用一個數字萬用表按以下步驟進行： 1.調整P1,用測試夾臨時連接 T1基極到地，然后調整P1載穩壓器U6上獲得6.5V輸出。 ...
品牌 : Texas Instruments
型號 : DAC7541AJUG4
品牌 : Atmel
型號 : ATMEGA328P-AU
品牌 : Analog Devices
型號 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : Analog Devices
型號 : AD5235BRUZ250-R7
