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高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器——Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047μF到10μF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個電壓等級。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰，這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應用包括功率轉換器、頻率轉換器，以及風力機逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機驅動。Vishay還提供結構長度58mm的器件，用于高功率IGBT模塊。
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品牌 : Texas Instruments
型號 : TMS320F2812PGFAG4
品牌 : Analog Devices
型號 : AD5235BRUZ250-R7
品牌 : STMicroelectronics
型號 : STM32F103C8T6TR
品牌 : Texas Instruments
型號 : DAC7541AJUG4
