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1N4448,143| DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448,143
描述 : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
品牌 : NXP Semiconductors
PDF : PDF
庫存: AVAIL
在線報價一
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屬性
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25nA @ 20V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 200°C (Max) |
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Supplier Device Package | DO-35 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
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