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BYC8B-600PQP| DIODE GEN PURP 600V 8A
BYC8B-600PQP
描述 : DIODE GEN PURP 600V 8A
品牌 : NXP Semiconductors
PDF : PDF
庫存: AVAIL
在線報價一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報價！
屬性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20μA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.4V @ 8A |
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