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SIDC08D120H6| DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
SIDC08D120H6
描述 : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
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庫存: AVAIL
在線報價一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報價！
屬性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27μA @ 1200V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 10A |
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