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SIDC110D170H| DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER

SIDC110D170H

描述 :   DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 200A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 27μA @ 1700V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V (1.7kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 200A
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電子元件制造商

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