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SIDC11D60SIC3| DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER

SIDC11D60SIC3

描述 :   DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無(wú)起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Capacitance @ Vr, F 150pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 4A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200μA @ 600V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 4A
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電子元件制造商

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