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IDB18E120ATMA1| DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

IDB18E120ATMA1

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

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庫存: AVAIL

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屬性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 31A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100μA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 195ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO263-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 18A
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電子元件制造商

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