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IRD3CH9DB6| DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

IRD3CH9DB6

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 200nA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) 154ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Die
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 10A
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