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BSO615N| MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 380pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20μA
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電子元件制造商

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