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62-0139PBF| MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

62-0139PBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 540pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
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