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IRF8513PBF| MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

IRF8513PBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 766pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.5W, 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
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