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IRFHM8363TR2PBF| MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

IRFHM8363TR2PBF

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1165pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
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