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IPI50R399CP| MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

IPI50R399CP

描述 :   MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 890pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Power - Max 83W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 330μA
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