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TK31V60X,LQ| MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

TK31V60X,LQ

描述 :   MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Super Junction
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 300V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Power - Max 240W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 9.4A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
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電子元件制造商

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