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NP23N06YDG-E1-AY| MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

NP23N06YDG-E1-AY

描述 :   MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

品牌 :   Renesas Electronics America

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package 8-HSON
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
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