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SQM110N05-06L_GE3| MOSFET N-CH 55V 110A TO263

SQM110N05-06L_GE3

描述 :   MOSFET N-CH 55V 110A TO263

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4440pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 157W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
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電子元件制造商

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