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IPB65R150CFDAATMA1| MOSFET N-CH TO263-3
在線報價一
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2340pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 195.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900μA |
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