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2SK1119(F)| MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
2SK1119(F)
描述 : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
品牌 : Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存: AVAIL
在線報價一
現貨極具優(yōu)勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報價！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power - Max | 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
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