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JAN2N6798U| MOSFET N-CH 18-LCC

JAN2N6798U

描述 :   MOSFET N-CH 18-LCC

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42.07nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 18-BQFN Exposed Pad
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package 18-ULCC (9.14x7.49)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
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電子元件制造商

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