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2N6849| MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
2N6849
描述 : MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
PDF : PDF
庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
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電子元件制造商
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品牌 : Texas Instruments
型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
型號(hào) : STM32F103C8T6TR
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