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PMV185XN,215| MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

PMV185XN,215

描述 :   MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 76pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 325mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
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