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SPN01N60C3| MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223

SPN01N60C3

描述 :   MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 100pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250μA
  • altera芯片

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