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SPB20N60S5ATMA1| MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB20N60S5ATMA1
描述 : MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
PDF : PDF
庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
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型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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