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BSP149L6327HTSA1| MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

BSP149L6327HTSA1

描述 :   MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

品牌 :   Infineon Technologies

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庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 660mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Depletion Mode
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 430pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 400μA
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