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IPB26CNE8N G| MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

IPB26CNE8N G

描述 :   MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2070pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 71W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package PG-TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39μA
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