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IPB60R250CPATMA1| MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
IPB60R250CPATMA1
描述 : MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
PDF : PDF
庫存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 104W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440μA |
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電子元件制造商
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品牌 : Texas Instruments
型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
型號(hào) : STM32F103C8T6TR
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