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IPD12CN10NGBUMA1| MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

IPD12CN10NGBUMA1

描述 :   MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4320pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 67A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83μA
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