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IPI80CN10N G| MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
IPI80CN10N G
描述 : MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
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庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
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屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 716pF @ 50V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| Power - Max | 31W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12μA |
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電子元件制造商
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品牌 : Texas Instruments
型號(hào) : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
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