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IPB120N04S3-02| MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

IPB120N04S3-02

描述 :   MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

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屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 14300pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 300W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 230μA
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