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IPD60R3K3C6| MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
IPD60R3K3C6
描述 : MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
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庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 93pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 18.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40μA |
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