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IPB023N04NGATMA1| MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

IPB023N04NGATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 10000pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 167W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 95μA
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