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IPB041N04NGATMA1| MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB041N04NGATMA1
描述 : MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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庫(kù)存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì)，無(wú)起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4500pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 94W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45μA |
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