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IPB065N15N3GE8187ATMA1| MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

IPB065N15N3GE8187ATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7300pF @ 75V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Power - Max 300W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270μA
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