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BSB012N03LX3 G| MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

BSB012N03LX3 G

描述 :   MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

品牌 :   Infineon Technologies

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庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無(wú)起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Ta), 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 169nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 16900pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-WDSON
Power - Max 2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M?
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
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電子元件制造商

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