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IRF1902GPBF| MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

IRF1902GPBF

描述 :   MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 310pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
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電子元件制造商

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