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IPD25CN10NGBUMA1| MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

IPD25CN10NGBUMA1

描述 :   MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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庫(kù)存: AVAIL

現(xiàn)貨極具優(yōu)勢(shì),無(wú)起訂量限制,支持BOM表整單報(bào)價(jià)!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2070pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 71W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39μA
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電子元件制造商

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