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IPB160N04S2L03ATMA2| MOSFET N-CH TO262-3

IPB160N04S2L03ATMA2

描述 :   MOSFET N-CH TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 230nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6000pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Power - Max 330W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
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電子元件制造商

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