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IPI120N06S4H1AKSA2| MOSFET N-CH TO262-3
IPI120N06S4H1AKSA2
描述 : MOSFET N-CH TO262-3
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庫存: AVAIL
在線報(bào)價(jià)一
現(xiàn)貨極具優(yōu)勢，無起訂量限制，支持BOM表整單報(bào)價(jià)！
屬性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 21900pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200μA |
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電子元件制造商
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