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IRG8CH106K10F| IGBT 1200V 110A DIE

IRG8CH106K10F

描述 :   IGBT 1200V 110A DIE

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Gate Charge 700nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Power - Max -
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package Die
Switching Energy -
Td (on/off) @ 25°C 80ns/380ns
Test Condition 600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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電子元件制造商

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