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2SK3666-2-TB-E| JFET N-CH 10MA 200MW CP

2SK3666-2-TB-E

描述 :   JFET N-CH 10MA 200MW CP

品牌 :   ON Semiconductor

PDF :   PDF

庫存: AVAIL

現貨極具優勢,無起訂量限制,支持BOM表整單報價!

屬性

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600μA @ 10V
Current Drain (Id) - Max 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
Resistance - RDS(On) 200 Ohm
Supplier Device Package 3-CP
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 180mV @ 1μA
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電子元件制造商

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